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无源器件电阻及其版图

2015-4-14 13:34| 发布者: 闪电| 查看: 167| 评论: 0

摘要: 1.电阻概述 1)自然界有两种类型材料——导体和绝缘体。导体具有允许电流通过它流动的能力,绝缘体则不允许通过它流动。2)导体有良导体和不良导体区分。材料传导电流的强弱用材料电阻值来描述。 3)元素周期表中一 ...


    2.发射区电阻

    1)标准双极工艺和一些模拟BiCMOS工艺中均提供发射区电阻。

图 发射区电阻的版图和剖面图(注意隔离岛和基区偏置电极的存在)

    2)发射区电阻的方块阻值范围为2~10Ω/□,因此可以直接在发射区上制作接触孔。

    3)由于其较小的方块电阻,发射区是唯一适合于制作较小电阻(0.5~100Ω)的区域。对于发射区电阻可以忽略电压调制和电导调制效应。

    4)发射区电阻必须置于适合的隔离岛中,通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内,基区扩散又制作在一个N阱内。

    5)在标准双极工艺中,发射区电阻常用做功率管整流和电流敏感电阻。在单层金属工艺中广泛用做隧道。

    6)在模拟BiCMOS工艺中,发射区电阻可以直接置入P型外延层内;在标准双极工艺中,可以用包含发射区电阻的基区代替整个隔离岛,从而得到无隔离岛的发射区电阻。

    7)在BiCMOS工艺中发射区电阻不常见,因为低方块的多晶硅电阻更紧密而且不易受到寄生效应的影响。


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